高频开关电源课程设计指导书

高频开关电源课程设计指导书

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时间:2017-12-24

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1、高频开关电源课程设计指导书在现代电力电子技术中,电力变换有下列几种,AC-DC(即AC转换成为DC,其中AC表示交流电,DC表示直流电)称为整流,DC-AC称为逆变,AC-AC称为交流-交流变换,DC-DC称为直流-直流变换。高频半导体功率器件出现后,用半导体功率器件作为高速开关,使其在开关状态下工作,实现能量转换的电路,称为开关变换器电路。利用闭环反馈控制稳定变换器的输出,再加上保护环节等,即可构成开关电源(SwitchingPowerSupply)。开关电源主要组成部分是DC-DC变换器,它是功率转换的核心。把直流电压变换为低于这一数值的直流电压,最简单办法是

2、串联一个可变电阻(功率三极管),用线性器件控制阻值的大小,实现稳定的输出,这就是线性电源,它不涉及变频问题,电路简单,但效率低。用半导体功率器件作为开关,使变换器在固定频率下工作,通过调制占空比(PWM)控制输出,称为脉宽调制变换器,还可以固定开关导通时间,通过改变工作频率(PFM)控制输出,这称为频率控制变换器。另外,还有脉宽和频率都可以改变的变换电路。给变换电路加上整流电路和滤波电路,就构成一个完整的DC-DC变换器。一个开关周期内,功率开关导通时间所占整个开关周期的比例,称为占空比D,即;占空比越大,负载上电压越高。目前应用较广的是脉宽调制型(PWM)变换器

3、,它包括正激式、反激式、推挽式、半桥式和全桥式等多种类型。在高频开关电源功率转换电路中,单端变换器(反激、正激)中的高频变压器的磁芯只工作在第一象限,即处于磁滞回线的一边。按变压器的副边开关整流器二极管的不同连接方式,单端变换器有两种类型:一种是单端反激式变换器(主功率开关管与变压器副边整流管的开通时间相反:当前者导通时后者截止,反之当前者截止时后者导通),另一种是单端正激式变换器(两者同时导通或截止)。15一、单端反激式开关稳压电源设计1.1单端反激式开关电源由Buck-Boost推演并加隔离变压器后得反激变换器原理线路,如图1-1示。图1-1单端反激变换器主回

4、路电路图当加到原边主功率开关管Tr的激励脉冲为高电平时,Tr导通,直流输入电压Vs加在原边绕组两端,能量储存在原边绕组内,此时因副边绕组相位是上负下正,整流管D1反向偏置而截止;当驱动脉冲为低电平使Tr截止时,原边绕组两端电压极性反向,使变压器副边绕组相位变为上正下负,整流管被正向偏置而导通,此后储存在变压器原边绕组中的磁能向负载传递释放。因单端反激变换器只是在原边开关管导通期间储存能量,当它截止时才向负载释放能量,故高频变压器在开关工作过程中,既起前后级隔离作用,又是电感储能元件。因此又称单端反激变换器为“电感储能式变换器”。在单端反激变换器中,一般有两种工作方

5、式:一种是完全能量转换(电感电流不连续方式)。在储能周期()中,变压器中存储的所有能量在反激周期()中都转移到输出端。另一种是不完全能量转换(电感电流连续方式)。储存在变压器中的一部份能量在末保留到下一个的开始。1.2TOPSwitch单端反激开关电源设计15TOPSwitch系列芯片是美国PI公司新推出的第二代单片开关电源集成电路。芯片内含振荡器、误差放大器、脉宽调制器、门电路、高压功率开关管(MOSFET)、偏置电路、过电流保护电路、过热保护及上电复位电路、关断/自动重启动电路。能以最简单的方式构成无工频变压器的反激式开关电源。其开关频率为100KHz。它不仅

6、设计先进,功能完善,而且外围电路简单,使用非常灵活。是目前设计小功率(250W)开关电源的最佳选择。表1-1列出了各种TOPSwitch的不同输出功率。表1-1各种TOPSwitch的不同输出功率型号Pmin(W)Pnom(W)Pmax(W)Ppeak(W)TOP220061213TOP20110162227TOP20215233040TOP20320283548TOP20430405073TOP21425344261TOPSwitch封装和内部原理图如图1-2和图1-3所示。图1-2TOPSwitch封装外形图1-3TOPSwitch内部功能框图电源启动时,连接

7、在漏极和源极之间的内部高压电流源向控制极充电,在RE15两端产生压降,经RC滤波后,输入到PWM比较器的同相端,与振荡器产生的锯齿波电压相比较,产生脉宽调制信号并驱动MOSFET管,因而可通过控制极外接的电容充电过程来实现电路的软启动。当控制极电压Vc达到5.7V时,内部高压电流源关闭,此时由反馈控制电流向Vc供电。在正常工作阶段,由外界电路构成电压负反馈控制环,调节输出级MOSFET的占空比以实现稳压。当输出电压升高时,Vc升高,采样电阻RE上的误差电压亦升高。而在与锯齿波比较后,将使输出电压的占空比减小,从而使开关电源的电压减小。当控制极电压低于4.7V时,M

8、OSFET

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